Điốt Schottky có điện trở dòng điện cao để cung cấp năng lượng cho công tắc tần số cao

Mô tả sản phẩm

Điốt Schottky có điện trở dòng điện cao để cung cấp năng lượng cho công tắc tần số cao

MBR20100.pdf

Cấu trúc mạch bên trong của bộ chỉnh lưu Schottky điển hình dựa trên chất nền bán dẫn loại N, trên đó hình thành lớp N-epitaxial với asen như một chất tạp chất.Cực dương sử dụng các vật liệu như molypden hoặc nhôm để tạo lớp rào cản.Silicon dioxide (SiO2) được sử dụng để loại bỏ điện trường ở khu vực cạnh và cải thiện giá trị điện áp chịu đựng của ống.Chất nền loại N có điện trở trạng thái rất nhỏ và nồng độ pha tạp của nó cao hơn 100% so với lớp H.Một lớp cực âm N+ được hình thành dưới đế để giảm điện trở tiếp xúc của cực âm.Bằng cách điều chỉnh các tham số cấu trúc, một rào cản Schottky được hình thành giữa chất nền loại N và kim loại cực dương, như thể hiện trong hình.Khi áp dụng độ lệch thuận cho cả hai đầu của hàng rào Schottky (kim loại cực dương được kết nối với cực dương của nguồn điện và chất nền loại N được kết nối với cực âm của nguồn điện), lớp rào cản Schottky trở nên hẹp hơn và điện trở trong của nó trở nên nhỏ hơn;mặt khác, nếu Khi áp dụng độ lệch ngược cho cả hai đầu của hàng rào Schottky, lớp hàng rào Schottky trở nên rộng hơn và điện trở trong của nó trở nên lớn hơn.

Đặc trưng
 

1. Cấu tạo catốt chung
2. Tổn thất điện năng thấp, hiệu quả cao
3. Nhiệt độ đường giao nhau hoạt động cao
4. Vòng bảo vệ để bảo vệ quá áp, Độ tin cậy cao
5. Sản phẩm RoHS
 

Các ứng dụng
 

1. Công tắc tần số cao Nguồn điện

2. Điốt quay tự do, Ứng dụng bảo vệ phân cực
 

CÁC ĐẶC ĐIỂM CHÍNH
 

NẾU(AV)	10(2×5)A
VF(tối đa)	0,7V (@Tj=125°C)
tj	175°C
VRRM	100 V

 

THÔNG ĐIỆP SẢN PHẨM
 

Người mẫu	đánh dấu	Bưu kiện
MBR10100	MBR10100	ĐẾN-220C
MBRF10100	MBRF10100	TO-220F
MBR10100S	MBR10100S	TO-263
MBR10100R	MBR10100R	TO-252
MBR10100V	MBR10100V	TO-251
MBR10100C	MBR10100C	TO-220

 

XẾP HẠNG TUYỆT ĐỐI (Tc=25°C)
 

Tham số			Biểu tượng	Giá trị	Đơn vị
Điện áp ngược cực đại lặp đi lặp lại			VRRM	100	V
Điện áp chặn DC tối đa			VDC	100	V
Dòng chuyển tiếp trung bình	TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F)	mỗi thiết bị   mỗi đi-ốt	NẾU(AV)	10 5	MỘT
Surge không lặp đi lặp lại về phía trước sóng nửa hình sin đơn 8,3 ms (JEDECMethod)			IFSM	120	MỘT
Nhiệt độ đường giao nhau tối đa			tj	175	°C
Phạm vi nhiệt độ lưu trữ			TSTG	-40~+150	°C